国家/地区 China（654） Usa（646） Korea（176） Japan（164）
Germany（115） England（92） Singapore（85） India（66）
France（64） Taiwan（58） Italy（52） Australia（37）
Canada（35） Sweden（32） Switzerland（31） Belgium（28）
Netherlands（28） Spain（27） Poland（25） Russia（24）
关键词 GRAPHENE（237） NANOSTRUCTURED MATE.（49） FIELD EFFECT TRANSI.（27）
RAMAN SPECTRA（23） DENSITY FUNCTIONAL .（21） MONOLAYER（21）
AB INITIO CALCULATI.（20） ELEMENTAL SEMICONDU.（20） SILICON COMPOUND（19）
ADSORPTION（18） ENERGY GAP（18） THIN FILM（18）
DOPING（17） CHEMICAL VAPOUR DEP.（15） CARBON（14）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2621）
出版时间 2013（364） 2014（357） 2012（326） 2011（273） 2015（213） 2010（194） 2016（180） 2017（129） 2009（119） 2018（98） 2008（74） 2019（65） 2022（59） 2021（54） 2020（52） 2007（34） 2023（24） 2006（4）
机构 CHINESE ACAD.（108） NATL UNIV SI.（53） TSINGHUA UNI.（46） PEKING UNIV（43）
UNIV CALIF R.（31） GEORGIA INST.（28） SUNGKYUNKWAN.（27） PURDUE UNIV（25）
UNIV TEXAS A.（25） UNIV CAMBRID.（24） NANJING UNIV（23） UNIV CALIF B.（23）
UNIV FLORIDA（23） UNIV TOKYO（23） UNIV CALIF L.（20） UNIV ILLINOI.（19）
UNIV SCI TE.（19） KOREA ADV IN.（17） KOREA UNIV（16） NANYANG TECH.（16）
作者 TANIGUCHI T（47） WATANABE K（46） ZHANG Y（35） PEETERS FM（24）
GUO J（23） ZHANG C（23） WANG Y（22） GAO HJ（21）
LEE S（21） WANG L（21） BALANDIN AA（20） KIM J（20）
SUN J（20） CHEN W（18） CHEN YP（18） KIM S（17）
GASKILL DK（16） STAMPFER C（16） LI J（15） LIU Y（15）

Selective etching of hexagonal boron nitride by high-pressure CF4 plasma for individual one-dimensional ohmic contacts to graphene layers

APPLIED PHYSICS LETTERS

SEO Y, MASUBUCHI S, WATANABE E, ONODERA M, MORIYA R, WATANABE K, TANIGUCHI T, MACHIDA T

Monolayer goldene intercalated in graphene layers

APPLIED PHYSICS LETTERS

YUAN WJ, DENG ZL, REN ZH, SHEN YL, XI W, LUO J

A highly sensitive, large area, and self-powered UV photodetector based on coalesced gallium nitride nanorods/graphene/silicon (111) heterostructure

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZULKIFLI N A, PARK K, MIN JW, OOI BS, ZAKARIA R, KIM J, TAN CL

Graphene-induced crystal-healing of AlN film by thermal annealing for deep ultraviolet light-emitting diodes

APPLIED PHYSICS LETTERS

CHANG HL, LIU BY, LIANG DD, GAO YQ, YAN JC, LIU ZT, LIU ZQ, WANG JX, LI JM, GAO P, WEI TB

Circular electromechanical resonators based on hexagonal-boron nitride-graphene heterostructures

APPLIED PHYSICS LETTERS

KUMAR R, SESSION DW, TSUCHIKAWA R, HOMER M, PAAS H, WATANABE K, TANIGUCHI T, DESHPANDE VV

Supercapacitor performance of 3D-graphene/MnO2 foam synthesized via the combination of chemical vapor deposition with hydrothermal method

APPLIED PHYSICS LETTERS

BAI XL, GAO YL, GAO ZY, MA JY, TONG XL, SUN HB, WANG JA

High-performance graphene/InSb heterojunction photodetectors for high-resolution mid-infrared image sensors

APPLIED PHYSICS LETTERS

SHIMATANI M, FUKUSHIMA S, OKUDA S, OGAWA S

Graphene transfer passivates GaAs

APPLIED PHYSICS LETTERS

SINGIDAS BG, DE LOS REYES AE, BARDOLAZA HR, VASQUEZ JDE, SALVADOR AA, ESTACIO ES, SARMAGO RV

Magnetic-field control of near-field radiative heat transfer between graphene-based hyperbolic metamaterials

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHANG B, SONG JL, LU L, LI BW, ZHOU K, CHENG Q, LUO ZX

Amplifying photocurrent of graphene on GeSn film by sandwiching a thin oxide between them

APPLIED PHYSICS LETTERS

LV YH, LI H, LEE KC, CHANG GE, SHIEH TH, WU XS, CHANG CR, WU HC, HUNG KM, CHENG HH